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Semi-conducteurs discrets
| Image | partie # | Définition | fabricant | Le stock | RFC | |
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BSZ075N08NS5ATMA1 |
Le système de détection de l'urine doit être conforme à l'annexe II.
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Infineon Technologies
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Les produits de base doivent être présentés dans le tableau suivant: |
MOSFET de la tranchée T2
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IXYS
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Pour les appareils à commande numérique |
MOSFET 30 Ampères 500V 0,16 Rds
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IXYS
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
Le système d'exploitation est soumis à des prescriptions spécifiques.
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent fournir les informations suivantes: |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Infineon Technologies
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Le FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
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Fairchild Semi-conducteur
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Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Infineon Technologies
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FDS6910 |
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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un demi
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de la fréquence de l'appareil. |
MOSFET basse puissance_LEGACY
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Infineon Technologies
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PMPB43XPE,115 |
Les résultats de l'analyse de l'efficacité de l'émission de dioxyde de carbone doivent être présenté
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Nexperia
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Pour l'utilisation de l'appareil, voir IRF6646TR1. |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Infineon Technologies
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CSD17318Q2T |
Le système de détection de l'urine doit être utilisé pour la détection de l'urine.
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Instruments du Texas
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
MOSFET CONSOMMATEUR
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Infineon Technologies
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STP46NF30 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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STMicroélectronique
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FDN338P |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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un demi
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Les données relatives à l'utilisation du SIS II |
MOSFET 30 volts 20 ampères 28 watts
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Vishay Semi-conducteurs
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BSS138W |
Le niveau logique de MOSFET 50V N-CH
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Fairchild Semi-conducteur
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NTMD2C02R2G |
Transistor MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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un demi
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Le numéro d'immatriculation du véhicule |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET Le débit d'électricité est de
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STMicroélectronique
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FDS4685 |
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.
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un demi
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IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A à 252
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Infineon Technologies
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Le DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Diode de commutation 1,8 Ohm à 5Vgs 470mA
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Diodes incorporées
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Le DMC1229UFDB-13 |
Le système de détection de la pollution par les gaz est utilisé pour la détection de la pollution.
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Diodes incorporées
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NTMFS4823NT1G |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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un demi
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IRFR1205 |
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualifié
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Vishay Semi-conducteurs
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Le numéro de téléphone est le DMN1019UFDE-7. |
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
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Diodes incorporées
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes: |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Infineon Technologies
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
MOSFET N-CH TO263-7 Pour les produits chimiques
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Infineon Technologies
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Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes: |
Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation de l'énergie.
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Vishay Semi-conducteurs
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Pour les appareils de traitement de l'air |
MOSFET 10,0 Ampères 600 V 0,74 Ohm Rds
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IXYS
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
MOSFET 30V 14,8A 5,2W 13,5mohm @ 10V
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Siliconix / Vishay
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IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
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Infineon Technologies
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Le dépistage est effectué par un dépistage. |
Le débit d'air doit être supérieur ou égal à:
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Diodes incorporées
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Le TPHR6503PL,L1Q est utilisé. |
MOSFET 30 volts N-canal
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Toshiba
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NTMFD4C20NT3G |
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
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un demi
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
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un demi
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Infineon Technologies
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CPC3909ZTR |
MOSFET 400V FET en mode d'épuisement des canaux N
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Circuits intégrés IXYS
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Pour les véhicules à moteur électrique |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2 de qu
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IXYS
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Le numéro de série IRLR8721TRPBF |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
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Infineon Technologies
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Le nombre de personnes concernées |
MOSFET 2N-CH 8MLP
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un demi
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Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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Infineon Technologies
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC
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Infineon Technologies
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Le numéro de téléphone est le DMN2400UFDQ-7. |
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2.
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Diodes incorporées
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L'IRFR13N15DTRL est utilisé |
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être conforme aux normes de sécurité énoncée
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Infineon Technologies
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 est utilisé
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Infineon Technologies
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Le produit doit être présenté dans la boîte de douane. |
Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de
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Infineon Technologies
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de la fréquence de l'équipement. |
Le MOSFET à haute puissance est le meilleur de sa catégorie
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Infineon Technologies
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes en ce qui concerne les droits de douane: |
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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Infineon Technologies
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