Le numéro de téléphone est le DMN1019UFDE-7.
fabricant:
Diodes incorporées
Définition:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Vgs (max) ::
±8V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
11A (ventres)
@ qty::
0
Type de FET::
N-canal
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
50.6nC @ 8V
Fabricant::
Diodes incorporées
Quantité minimale::
3000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé)::
1.2V, 4.5V
Le stock de l'usine::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique FET::
-
Série::
-
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
Pour les appareils à commande numérique
Package du fournisseur::
U-DFN2020-6 (type E)
Statut de la partie::
Actif
Emballage::
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
10 mOhm @ 9,7 A, 4,5 V
Dissipation de puissance (maximum)::
690 mW (Ta)
Emballage / boîtier::
6-UDFN a exposé la protection
Technologie::
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id::
800 mV @ 250 μA
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
12 V
Introduction au projet
Le DMN1019UFDE-7,de Diodes Incorporated,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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