Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Vgs (max) ::
± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
8.7A (Tc)
@ qty::
0
Type de FET::
N-canal
Type de montage::
À travers le trou
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
32nC @ 10V
Fabricant::
Infineon Technologies
Quantité minimale::
500
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé)::
10 V
Le stock de l'usine::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique FET::
-
Série::
CoolMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
870pF @ 100V
Package du fournisseur::
Plein paquet PG-TO220
Statut de la partie::
Actif
Emballage::
Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à:
Dissipation de puissance (maximum)::
31.2W (Tc)
Emballage / boîtier::
Plein paquet TO-220-3
Technologie::
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id::
4.5V @ 340μA
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
Pour les appareils électriques
Introduction au projet
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Nombre de pièces: