L'IRFR13N15DTRL est utilisé
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être conforme aux normes de sécurité énoncée
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Vgs (max) ::
±30V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
14A (comité technique)
@ qty::
0
Type de FET::
N-canal
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
29nC @ 10V
Fabricant::
Infineon Technologies
Quantité minimale::
3000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé)::
10 V
Le stock de l'usine::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique FET::
-
Série::
HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
620pF @ 25V
Package du fournisseur::
D-PAK
Statut de la partie::
Dépassé
Emballage::
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'indicateur doit être égale ou supérieure à:
Dissipation de puissance (maximum)::
86 W (Tc)
Emballage / boîtier::
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Technologie::
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id::
5.5V @ 250µA
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
Pour les appareils électriques
Introduction au projet
L'IRFR13N15DTRL,de Infineon Technologies,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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