FDS6910
fabricant:
un demi
Définition:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Package du fournisseur::
8-SOIC
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Le stock de l'usine::
0
Quantité minimale::
2500
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
1130pF @ 15V
Emballage / boîtier::
8-SOIC (0.154" ; , largeur de 3.90mm)
Statut de la partie::
Actif
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
7.5A
Emballage::
Tape et bobine (TR)
@ qty::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET::
N-canal 2 (double)
Caractéristique FET::
Porte de niveau de logique
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
30 V
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de la valeur de commande numérique est la valeur
Puissance maximale::
900mW
Vgs(th) (maximum) @ Id::
3V @ 250µA
Série::
PowerTrench®
Fabricant::
un demi
Introduction au projet
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Nombre de pièces: