Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
fabricant:
Vishay Semi-conducteurs
Définition:
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualifié
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
N-canal
Technologie::
SI
Id - Courant de vidange continu::
24 A
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Nom commercial::
TrenchFET
Température de fonctionnement minimale::
- 55 C
Emballage / boîtier::
Le système d'alimentation électrique est utilisé.
Température de fonctionnement maximale::
+ 175 C
Mode de chaîne::
Amélioration
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
60 V
Emballage::
Le rouleau
Vgs th - tension de seuil de la source de passerelle::
1,5 V
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Rds On - Résistance à la source de drainage::
0.019 Ohms
Nombre de chaînes::
1ère chaîne
Vgs - Voltage de la porte de sortie::
+/- 20 V
Qg - Charge de la porte::
30 OR
Fabricant::
Vishay Semi-conducteurs
Introduction au projet
Le SQJ850EP-T1_GE3, de Vishay Semiconductors, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
Les données relatives à l'utilisation du SIS II
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
| Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
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Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes: |
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