Les produits de base doivent être présentés dans le tableau suivant:
fabricant:
IXYS
Définition:
MOSFET de la tranchée T2
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
N-canal
Technologie::
SI
Id - Courant de vidange continu::
500 A
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Nom commercial::
Pour les produits de base
Température de fonctionnement minimale::
- 55 C
Emballage / boîtier::
TO-268-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 175 C
Mode de chaîne::
Amélioration
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
40 V
Emballage::
Tuyaux
Vgs th - tension de seuil de la source de passerelle::
3,5 V
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Rds On - Résistance à la source de drainage::
1.6 MOhms
Vgs - Voltage de la porte de sortie::
20 V
Qg - Charge de la porte::
405 après JC
Fabricant::
IXYS
Introduction au projet
Le IXTT500N04T2, de IXYS,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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| Image | partie # | Définition | |
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