IRFR1205
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Vgs (max) ::
± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
44A (comité technique)
@ qty::
0
Type de FET::
N-canal
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
Pour les appareils à commande numérique
Fabricant::
Infineon Technologies
Quantité minimale::
450
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé)::
10 V
Le stock de l'usine::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique FET::
-
Série::
HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
1300pF @ 25V
Package du fournisseur::
D-PAK
Statut de la partie::
Dépassé
Emballage::
Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
27 mOhm @ 26A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)::
107W (comité technique)
Emballage / boîtier::
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Technologie::
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id::
4V @ 250µA
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
55V
Introduction au projet
L'IRFR1205,de Infineon Technologies,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Nombre de pièces: