Le DMC1229UFDB-13
spécifications
Package du fournisseur::
U-DFN2020-6 (type B)
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Le stock de l'usine::
0
Quantité minimale::
10000
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
914 pF @ 6V
Emballage / boîtier::
6-UDFN a exposé la protection
Statut de la partie::
Actif
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
5.6A, 3.8A
Emballage::
Tape et bobine (TR)
@ qty::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET::
N et P-canal
Caractéristique FET::
Porte de niveau de logique
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
12 V
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
19.6nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
29 mOhm @ 5A, 4,5 V
Puissance maximale::
1.4W
Vgs(th) (maximum) @ Id::
1V @ 250µA
Série::
-
Fabricant::
Diodes incorporées
Introduction au projet
Le DMC1229UFDB-13, de Diodes Incorporated, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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