Le DMN61D8LVT-13
fabricant:
Diodes incorporées
Définition:
MOSFET 60V Diode de commutation 1,8 Ohm à 5Vgs 470mA
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
N-canal
Technologie::
SI
Id - Courant de vidange continu::
630 mA, 630 mA
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale::
- 55 C
Emballage / boîtier::
TSOT-26-6
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Mode de chaîne::
Amélioration
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
60 V, 60 V
Emballage::
Le rouleau
Vgs th - tension de seuil de la source de passerelle::
1.3 V, 1.3 V
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Rds On - Résistance à la source de drainage::
1.1 Ohms, 1.1 Ohms
Nombre de chaînes::
2e chaîne
Vgs - Voltage de la porte de sortie::
12 V, 12 V
Qg - Charge de la porte::
Pour les produits à base de plantes, le produit doit être présent dans une quantité suffisante.
Fabricant::
Diodes incorporées
Introduction au projet
Le DMN61D8LVT-13, de Diodes Incorporated, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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| Image | partie # | Définition | |
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