Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Vgs (max) ::
± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
37.9A (comité technique)
@ qty::
0
Type de FET::
N-canal
Type de montage::
À travers le trou
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
70nC @ 10V
Fabricant::
Infineon Technologies
Quantité minimale::
1
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé)::
10 V
Le stock de l'usine::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique FET::
-
Série::
Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
3330pF @ 100V
Package du fournisseur::
PG-TO247-3
Statut de la partie::
Actif
Emballage::
Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
99 mOhm @ 14,5 A, 10 V
Dissipation de puissance (maximum)::
278W (comité technique)
Emballage / boîtier::
TO-247-3
Technologie::
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id::
4Pour les appareils à commande numérique
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
600 V
Introduction au projet
L'IPW60R099P6XKSA1,de Infineon Technologies,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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