HFA3096B
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Définition:
Les données sont fournies par la plateforme de téléphonie mobile.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
65 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
3 NPN + 2 PNP
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
8 GHz, 5,5 GHz
Le paquet:
-
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
12V, 15V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
16-SOIC
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Figure du bruit (dB Typ @ f):
3.5 dB @ 1 GHz
Puissance maximale:
150 mW
Les gains:
-
Emballage / boîtier:
16-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Le système d'alimentation doit être équipé d'un système d'alimentation électrique.
Numéro du produit de base:
HFA3096
Introduction au projet
Transistors RF 3 NPN + 2 PNP 12V, 15V 65mA 8GHz, 5.5GHz 150mW Monture de surface 16-SOIC
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