Pour les appareils à commande numérique
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Définition:
RF 0.1A, bande de fréquences ultra-hautes
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
6.5 GHz
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-89
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Figure du bruit (dB Typ @ f):
10,8 dB @ 1 GHz
Puissance maximale:
1.2W
Les gains:
10 dB
Emballage / boîtier:
TO-243AA
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 20mA, 10V
Introduction au projet
Transistors RF NPN 12V 100mA 6,5 GHz 1,2 W Monture de surface SOT-89
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| Image | partie # | Définition | |
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