2SC5606-T1-A, qui ne sont pas utilisés pour les véhicules à moteur
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Définition:
Transistors bipolaires à petit signal
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
35 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
21 GHz
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
3.3V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-523
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Figure du bruit (dB Typ @ f):
1.2 dB @ 2 GHz
Puissance maximale:
115 mW
Les gains:
14dB
Emballage / boîtier:
SOT-523
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 2V
Introduction au projet
Transistors RF NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Monture de surface SOT-523
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Le numéro HFA3127RZ96
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Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 2 de la présente annexe.
RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
| Image | partie # | Définition | |
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HFA3096B |
RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC
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Pour les appareils à commande numérique |
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