VS-ETF150Y65U Vishay Semi-conducteurs Général
fabricant:
Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes
Définition:
Le système d'aiguillage de l'appareil doit être équipé d'un système de réglage de la tension.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discretsTransistorsIGBTsIGBT modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
142 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
ÉMIPAK-2B
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
2.06V @ 15V, 100A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
650 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
ÉMIPAK-2B
Mfr:
Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes
Température de fonctionnement:
175°C (TJ)
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100 μA
Type IGBT:
Fossé
Puissance maximale:
417 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30 V
Configuration:
Inverseur à trois niveaux
Thermistors NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le montant de la garantie
Mettre en évidence:
Le montant de l'obligation est calculé à partir du montant de l'obligation.
,VS-ETF150Y65U Vishay Semi-conducteurs
,Vishay General Semiconductor
Introduction au projet
Module IGBT Trench Inverteur à trois niveaux 650 V 142 A 417 W Monture de châssis EMIPAK-2B
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
| Image | partie # | Définition | |
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Module SIP IGBT de semi-conducteur général Vishay |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe I. |
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Les données sont fournies à l'autorité compétente. |
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Le CPV362M4U |
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