Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe I.
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
114 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module 12-MTP
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
3.2V @ 15V, 100A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
600 V ou plus
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PMT
Mfr:
Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes
Température de fonctionnement:
-40°C à 150°C (TJ)
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
µA 400
Type IGBT:
-
Puissance maximale:
658 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
7.1 nF @ 30 V
Configuration:
La moitié du pont
Thermistors NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
50MT060
Introduction au projet
Module IGBT demi-pont 600 V 114 A 658 W Monture du châssis MTP
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Les données sont fournies à l'autorité compétente.
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
Le CPV362M4U
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
| Image | partie # | Définition | |
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Module SIP IGBT de semi-conducteur général Vishay |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
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VS-ETF150Y65U Vishay Semi-conducteurs Général |
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
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Les données sont fournies à l'autorité compétente. |
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
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Le CPV362M4U |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
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Pour les appareils de surveillance de l'environnement: |
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
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