2N3811
fabricant:
Central Semiconductor Corp.
Définition:
Le système de régulation de l'énergie doit être conforme à l'annexe II.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
50 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
2 PNP (double)
Type de montage:
À travers le trou
Fréquence - Transition:
100 MHz
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1 mA, 100 μA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
60 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-78-6
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
10nA (ICBO)
Puissance maximale:
600 mW
Emballage / boîtier:
Le métal TO-78-6 peut
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
300 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
2N380
Introduction au projet
Transistors bipolaires (BJT) en série 2 PNP (double) 60V 50mA 100MHz 600mW à travers le trou TO-78-6
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| Image | partie # | Définition | |
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