2N2915
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
30 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
2 NPN (doubles)
Type de montage:
À travers le trou
Fréquence - Transition:
60 MHz
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
45 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-78-6
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
-
Puissance maximale:
600 mW
Emballage / boîtier:
Le métal TO-78-6 peut
Température de fonctionnement:
-
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 10μA, 5V
Numéro du produit de base:
2N291
Introduction au projet
Transistors bipolaires (BJT) Array 2 NPN (double) 45V 30mA 60MHz 600mW à travers le trou TO-78-6
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Image | partie # | Définition | |
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2N3811 |
TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
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TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
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TRANS 2PNP 50MA 40V TO78-6
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