DXT5551 à 13
fabricant:
Diodes incorporées
Définition:
Transistors bipolaires - BJT 1W 160V
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
NPN
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires - BJT
Courant maximal du collecteur CC::
600 mA
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
Pour l'électricité
Emballage / boîtier::
SOT-89-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Gain Bandwidth Produit fT::
300 MHz
Configuration::
Unique
Le collecteur de tension de base VCBO::
électronique
Série::
DXT5551
Émetteur - tension de base VEBO::
6 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
200 système mv
Fabricant::
Diodes incorporées
Introduction au projet
Le DXT5551-13, de Diodes Incorporated, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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