Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
spécifications
Polarité du transistor::
NPN
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Courant maximal du collecteur CC::
200 mA ou plus
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
45 V
Emballage / boîtier::
SOT-323-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Gain Bandwidth Produit fT::
300 MHz
Configuration::
Unique
Le collecteur de tension de base VCBO::
50 V
Série::
BC847B
Émetteur - tension de base VEBO::
6 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
600 système mv
Fabricant::
Diodes incorporées
Introduction au projet
Le BC847BW-7-F, de Diodes Incorporated, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Image | partie # | Définition | |
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Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
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