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Mémoire flash
| Image | partie # | Définition | fabricant | Le stock | RFC | |
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S34MS01G204TFI010 Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le dossier S34MS01 |
Mémoire Flash Nand
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL256P10FFI022 |
Parallèle 256M, 3V, 110ns de mémoire instantanée NI instantané
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Spansion/Cypress
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Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A. |
Mémoire instantanée 128K X 16 70ns
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Technologie des puces
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S25FL128SDPBHB300 Les produits de base doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Mémoire Flash 16 Mo 3 V 65 MHz Série NOR Flash
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Cypress Semi-conducteur
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Le montant de l'aide est calculé en fonction de l'expérience acquise. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL164K0XBHI020 |
Mémoire instantanée 64M, 3.0V, 108Mhz périodique NI instantané
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Cypress Semi-conducteur
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S34ML16G202TFI200: Les produits de base sont les suivants: |
Mémoire instantanée 16G NAND Flash Memory
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL128SDSMFB003 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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DK280531 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A. |
Mémoire instantanée 8-SOIC-N, la température d'Ind, 2.5V, TUBE
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Technologies d'Adesto
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S29WS512PABBFW0002 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S34MS01G200TFI000: les produits de base sont soumis à des contrôles. |
Mémoire Flash Nand
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Cypress Semi-conducteur
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S25FS064SAGBHN020: les produits de base sont soumis à des contrôles de qualité. |
Éclair de FSS 1.8-V de Mbit de la mémoire instantanée 64 (8 Moctet)
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL064P0XMFA000 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes à l'article 5 du règlement (UE) no 182/2011. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29CD016J0PQFM013P |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL064S70TFA030: Les produits de base sont les suivants: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par le système de mesure de l'équipement. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL01GP12TFI020: Les produits de base sont les produits de base. |
Parallèle de la mémoire instantanée 1GB 2.7-3.6V 120ns NI instantané
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Spansion/Cypress
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S29GL01GT12TFM020: Les produits de base sont les suivants: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL256S10DHSS20 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Les données relatives à l'utilisation de l'équipement doivent être fournies à l'autorité compétente. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL256SAGNFI000 |
Mémoire instantanée 256MB 3V 133MHz périodique NI instantanée
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL132K0XNFIQ11 |
Mémoire instantanée 32Mb, 3V, 108Mhz SPI NI éclair
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Mémoire instantanée SPI Ser 2Mbit instantané 1.65V à 1.95V
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Technologie des puces
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S25FL128SAGBHV203 Pour les véhicules à moteur électrique |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: |
Mémoire instantanée 16Mb QSPI, CONCESSION 150Mil, RoHS de 8 bornes, ET, T&R
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ISSI
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Le nombre total d'équipements utilisés dans le cadre de l'établissement est fixé par la Commission. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Je ne peux pas le faire. |
Je-Temp du non-et EEPROM de la mémoire instantanée 64GB
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Toshiba
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S29AL008J55TFNR10 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL128P11TFI020 |
Mémoire flash 128 Mb 3V 110 ns parallèle ou non flash
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL128P11FFI0102 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL127SABNFB100 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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AT25XV041B-MAHV-T |
Mémoire instantanée 4M 1.65V-4.4V SPI SerialFlash Dual-I/O
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Technologies d'Adesto
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Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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AT45DB041E-SHNHT-B |
Mémoire instantanée 8-SOIC-W, la température d'ext., NON-AECQ, 1.65V, TUBE
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Technologies d'Adesto
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre total d'équipements utilisés dans le cadre de l'équipement est de: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL132K0XNFV010 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL512S10DHSS50 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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SST25VF064C-80-4I-S3AE-T |
Mémoire instantanée 2.7V à l'éclair périodique de 3.6V 64Mbit SPI
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Technologie des puces
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S29GL128P10FFI010A: Les produits de base sont les suivants: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL116K0XMFA043 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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AT25DF011-SSHNGU-B |
Mémoire instantanée 1Mb, 1.65V, éclair 85Mhz périodique
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Technologies d'Adesto
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S29XS064RABBHW010 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail est déterminé en fonction de la période de travail. |
Mémoire flash 32 Mo QSPI, 16 broches SOP 300Mil, RoHS, ET
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ISSI
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SST25VF016B-50-4I-S2AF-T |
Mémoire Flash 16M (2Mx8) 50MHz 2,7-3,6V Industrielle
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Technologie des puces
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Les données de l'établissement doivent être fournies à l'autorité compétente. |
Mémoire instantanée 2.7V à l'éclair périodique de 3.6V 512Kbit SPI
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Technologie des puces
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