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La mémoire
| Image | partie # | Définition | fabricant | Le stock | RFC | |
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S25FL256SAGBHI213 Pour les appareils électroniques |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le numéro de série de l'AT45DQ321-MHF2B |
Mémoire instantanée 32M, éclair périodique de 85MHz 2.3-3.6V
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Technologies d'Adesto
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AT25QL641-UUE-T |
Mémoire flash QPI, 8- WLCSP, IND TEMP, 1,8 V, T&R
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Technologies d'Adesto
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S34ML02G100BHV003 Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises par les autorités compétentes soient conformes aux normes de sécurité énoncées dans le présent règlement. |
Mémoire Flash Nand
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Cypress Semi-conducteur
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S34SL01G200BHV000: les véhicules ne sont pas soumis à des contrôles. |
Mémoire Flash Nand
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Cypress Semi-conducteur
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S26KL128SDABHB023 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Les données de l'établissement de santé doivent être transmises à l'autorité compétente. |
Mémoire instantanée 8-UDFN (5x6x0.6), la température d'Ind, 1.65V, T&R
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Technologies d'Adesto
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS. |
Mémoire instantanée 3,0 à l'éclair universel de 3.6V 4Mbit
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Technologie des puces
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S25FL512SAGBHV210 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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L'équipement doit être équipé d'un dispositif d'éclairage. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL01GP11FAIR20 |
Parallèle de la mémoire instantanée 1GB 3.0-3.6V 110ns NI instantané
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail. |
Mémoire instantanée 4Mb QSPI, CONCESSION 208Mil, RoHS de 8 bornes, ET, T&R
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ISSI
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'équipement utilisé. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le montant de l'aide est calculé en fonction de l'expérience acquise. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL256SAGBHIC00 |
Mémoire instantanée 256MB 3V 133MHz périodique NI instantanée
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Cypress Semi-conducteur
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Le système de contrôle de la qualité doit être conforme à l'annexe II. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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AT25DN256-SSHF-T |
Mémoire instantanée 256K, 2.3V, éclair 104Mhz périodique
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Technologies d'Adesto
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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II. |
Mémoire instantanée 2Mbit 33MHz
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Technologie des puces
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S25FL256SDPNFV001 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
Mémoire instantanée 8 Mbit, éclair périodique de 1.8V SPI
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Technologie des puces
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S25FL128P0XMFI001M |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le montant de l'aide est calculé à partir de la valeur de l'aide. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL164K0XBHB023 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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AT25XE041B-SSHN-T |
Mémoire Flash X-Energy, 8-SOIC-N, TEMP IND, 1,65 V-3,6 V, T&R
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Technologies d'Adesto
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR Flash 16Mb QSPI, 8 broches USON 2X3MM, RoHS, T&R
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ISSI
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AT25XE011-SSHN-B |
X-énergie de mémoire instantanée, 8-SOIC-N, la température d'Ind, 1.65V, TUBE
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Technologies d'Adesto
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Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: |
Mémoire instantanée 8M QSPI, CONCESSION 105mil de 8 bornes ET
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ISSI
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S29GL064S70TFI030 |
Parallèle 64Mb, 3.0V de mémoire instantanée NI instantané
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Cypress Semi-conducteur
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Les produits doivent être soumis à un contrôle d'éthique. |
Mémoire instantanée 4.5V à 5.5V 1Mbit
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Technologie des puces
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SST39VF3201B-70-4I-B3KE |
Mémoire instantanée 2,7 à l'éclair universel de 3.6V 32Mbit
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Technologie des puces
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S29GL256P10FFIS12: Les produits de base sont les suivants: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL132K0XNFIQ10 |
Mémoire instantanée 32Mb, 3V, 108Mhz SPI NI éclair
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Spansion/Cypress
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Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL128S10DHSS10 |
Parallèle de la mémoire instantanée 128Mb 3V 100ns NI instantané
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Cypress Semi-conducteur
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S29PL127J60BAW003 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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SST39LF040-55-4C-NHE-T |
Mémoire flash
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Technologie des puces
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S34MS01G204TFI010 Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le dossier S34MS01 |
Mémoire Flash Nand
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Cypress Semi-conducteur
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S29GL256P10FFI022 |
Parallèle 256M, 3V, 110ns de mémoire instantanée NI instantané
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Spansion/Cypress
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Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A. |
Mémoire instantanée 128K X 16 70ns
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Technologie des puces
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S25FL128SDPBHB300 Les produits de base doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Mémoire Flash 16 Mo 3 V 65 MHz Série NOR Flash
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Cypress Semi-conducteur
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Le montant de l'aide est calculé en fonction de l'expérience acquise. |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL164K0XBHI020 |
Mémoire instantanée 64M, 3.0V, 108Mhz périodique NI instantané
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Cypress Semi-conducteur
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S34ML16G202TFI200: Les produits de base sont les suivants: |
Mémoire instantanée 16G NAND Flash Memory
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Cypress Semi-conducteur
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S25FL128SDSMFB003 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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DK280531 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A. |
Mémoire instantanée 8-SOIC-N, la température d'Ind, 2.5V, TUBE
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Technologies d'Adesto
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S29WS512PABBFW0002 |
Mémoire instantanée ni
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Cypress Semi-conducteur
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