UMH2N
fabricant:
Technologie Yangjie
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
2 NPN - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
UMH2N
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le code SOT-363
Résistance - Base (R1):
-
Mfr:
Technologie Yangjie
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
-
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Une fois de plus
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - Pré-biasé (double) 50V 100mA 250MHz 150mW Monture de surface SOT-363
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