RN1906, LF ((CT)
fabricant:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
2 NPN - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
États-Unis
Résistance - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Puissance maximale:
200mw
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
RN1906
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - Pré-biasé (double) 50V 100mA 250MHz 200mW Monture de surface US6
Produits connexes
RN2901FE,LXHF ((CT)
RN2965 ((TE85L,F)
RN4905T5LFT
RN2704, LF
RN1908FE ((TE85L,F)
RN1907FE, LF ((CT)
RN2901, LF ((CT)
RN1907, LF ((CT)
RN4981FE, LF(CT
RN1602 ((TE85L,F)
RN2910, LF(CT
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces: