PUMD12/DG/B4X
fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition:
230 MHz, 180 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
6-TSSOP
Résistance - Base (R1):
47 kOhms
Mfr:
Nexperia États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
300 mW
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
PUMD12
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Monture de surface 6-TSSOP
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