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DDA143EH-7 est utilisé.

fabricant:
Diodes incorporées
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
2 PNP - Pré-biasé (double)
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de référence:
Résistance - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
Diodes incorporées
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
40,7 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
-
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
20 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
DDA143
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 PNP - Pré-biasé (double) 50V 100mA 250MHz 150mW Monture de surface SOT-563
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