JAN2N5796
fabricant:
Technologie des puces
Définition:
Transistor de NPN
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
600 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
2 PNP (double)
Type de montage:
À travers le trou
Fréquence - Transition:
-
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
Military, MIL-PRF-19500/496 Les produits de base sont les suivants:
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
60 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-78-6
Mfr:
Technologie des puces
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
10 μA (ICBO)
Puissance maximale:
600 mW
Emballage / boîtier:
Le métal TO-78-6 peut
Température de fonctionnement:
-65°C à 175°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA, 10V
Numéro du produit de base:
2N5796
Introduction au projet
Transistors bipolaires (BJT) 2 PNP (double) 60V 600mA 600mW à travers le trou TO-78-6
Produits connexes
Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel annuel.
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Le numéro de téléphone est le suivant:
NPN TRANSISTOR
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 2 conformément à l'annexe II.
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT
Le nombre de personnes concernées par l'examen doit être fixé à:
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
| Image | partie # | Définition | |
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel annuel. |
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Le numéro de téléphone est le suivant: |
NPN TRANSISTOR
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TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT
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TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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