Les données relatives à l'émission de CO2 sont fournies par les autorités compétentes.
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
150 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
2 NPN (doubles)
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
80MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
ES6
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance maximale:
100mW
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 6V
Numéro du produit de base:
HN1C01
Introduction au projet
Transistors bipolaires (BJT) Array 2 NPN (double) 50V 150mA 80MHz 100mW Monture de surface ES6
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L'utilisation de produits de la catégorie 1 est interdite.
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HN1A01FU-Y, LXHF |
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