BFP 720FESD E6327
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
30 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
45 GHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
4.7V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
4-TSFP
Mfr:
Infineon Technologies
Figure du bruit (dB Typ @ f):
0Pour les appareils à haute fréquence, la fréquence de sortie doit être supérieure à 0,5.
Puissance maximale:
100mW
Les gains:
10 à 29 dB
Emballage / boîtier:
4-SMD, conduits plats
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
160 @ 15 mA, 3 V
Numéro du produit de base:
BFP 720
Introduction au projet
Transistors RF NPN 4,7 V 30 mA 45 GHz 100 mW Monture de surface 4-TSFP
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