Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin.
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
210mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
5,5 GHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
15 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-SOT223-4
Mfr:
Infineon Technologies
Figure du bruit (dB Typ @ f):
2 dB ~ 3 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz
Puissance maximale:
1W
Les gains:
14dB à 8,5dB
Emballage / boîtier:
Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 70mA, 8V
Numéro du produit de base:
BFG 19
Introduction au projet
Transistors RF NPN 15V 210mA 5,5 GHz 1W Monture de surface PG-SOT223-4
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