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NESG2030M04-T2-A: les données sont fournies par les autorités compétentes.

fabricant:
Cel
Définition:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le journal officiel de l'Union européenne.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
35 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
60GHz
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Digi-Reel®
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
2.3V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
M04
Mfr:
Cel
Figure du bruit (dB Typ @ f):
0La fréquence d'écoulement est de 0,9 dB ~ 1,1 dB @ 2 GHz.
Puissance maximale:
80mW
Les gains:
16 dB
Emballage / boîtier:
Le SOT-343F
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
200 @ 5 mA, 2 V
Numéro du produit de base:
NESG2030
Introduction au projet
Transistor RF NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Monture de surface M04
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Le stock:
Nombre de pièces: