BF771E6327HTSA1
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
80mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
8GHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les produits de base
Mfr:
Infineon Technologies
Figure du bruit (dB Typ @ f):
1 dB ~ 1,6 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz
Puissance maximale:
580 mW
Les gains:
10 à 15 dB
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 30mA, 8V
Numéro du produit de base:
BF771
Introduction au projet
Transistors RF NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Monture de surface PG-SOT23
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