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Le nombre d'équipements utilisés

fabricant:
NXP USA Inc.
Définition:
Les données sont fournies par le système de transmission de fréquences.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
40 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
11 GHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-143B
Mfr:
NXP USA Inc.
Figure du bruit (dB Typ @ f):
1.1 dB @ 1,8 GHz
Puissance maximale:
450mW
Les gains:
15.5dB
Emballage / boîtier:
TO-253-4, TO-253AA
Température de fonctionnement:
-40°C à 150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 10 mA, 8 V
Numéro du produit de base:
Le BFU530
Introduction au projet
Transistor RF NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Monture de surface SOT-143B
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

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Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

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