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Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre.

fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Le système de transmission de l'électricité doit être équipé d'un système de transmission de l'élect
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.)::
4.5V
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires RF
Le gain::
12.5 dB
Le stock de l'usine::
0
Type de transistor::
NPN
Quantité minimale::
3000
Package du fournisseur::
Le produit doit être présenté dans les conditions suivantes:
Figure du bruit (dB Typ @ f)::
0Pour les appareils de surveillance, les données doivent être fournies à l'autorité compétente.
Statut de la partie::
Actif
Courant - collecteur (Ic) (maximum)::
50 mA
Puissance maximale::
200mw
Emballage::
Tape et bobine (TR)
@ qty::
0
Fréquence - Transition::
40 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce::
110 @ 30 mA, 3 V
Température de fonctionnement::
150°C (TJ)
Emballage / boîtier::
SC-82A, SOT-343
Type de montage::
Monture de surface
Série::
-
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
Le BFP640H6327XTSA1, d'Infineon Technologies, est un transistor bipolaire RF. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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