Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre.
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.)::
2.8V
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires RF
Le gain::
21.5 dB
Le stock de l'usine::
0
Type de transistor::
NPN
Quantité minimale::
3000
Package du fournisseur::
Le produit doit être présenté dans les conditions suivantes:
Figure du bruit (dB Typ @ f)::
0Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un environnement de sécurité.
Statut de la partie::
Actif
Courant - collecteur (Ic) (maximum)::
80mA
Puissance maximale::
185 mW
Emballage::
Tape et bobine (TR)
@ qty::
0
Fréquence - Transition::
65 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce::
110 @ 50 mA, 1,5 V
Température de fonctionnement::
150°C (TJ)
Emballage / boîtier::
SC-82A, SOT-343
Type de montage::
Monture de surface
Série::
-
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
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