BF776 H6327
spécifications
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max.)::
4.7V
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires RF
Le gain::
24 dB
Le stock de l'usine::
0
Type de transistor::
NPN
Quantité minimale::
12000
Package du fournisseur::
Le produit doit être présenté dans les conditions suivantes:
Figure du bruit (dB Typ @ f)::
0Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Statut de la partie::
Dépassé
Courant - collecteur (Ic) (maximum)::
50 mA
Puissance maximale::
200mw
Emballage::
Tape et bobine (TR)
@ qty::
0
Fréquence - Transition::
46 GHz
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce::
180 @ 30mA, 3V
Température de fonctionnement::
150°C (TJ)
Emballage / boîtier::
SC-82A, SOT-343
Type de montage::
Monture de surface
Série::
-
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
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