Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la réglementation.
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Définition:
Transistors IGBT à haute puissance
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte::
+/- 500 nA
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
60 A
Palladium - dissipation de puissance ::
180 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
Pour l'électricité
Emballage / boîtier::
TO-264-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 25 V
Emballage::
Tuyaux
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
1,5 V
Fabricant::
Fairchild Semi-conducteur
Introduction au projet
Le FGL60N100BNTDTU, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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