Pour les véhicules à moteur à combustion
fabricant:
un demi
Définition:
Transistors IGBT 600V/60A IGBT LPT à 247
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte::
Na 200
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
120 A
Palladium - dissipation de puissance ::
298 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
20 V
Emballage::
Tuyaux
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
2,6 V
Fabricant::
un demi
Introduction au projet
Le NGTB60N60SWG, de onsemi, est des transistors IGBT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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