IRGPS66160DPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte::
Na 400
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
240 A
Palladium - dissipation de puissance ::
750W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
TO-274AA-3 est un
Température de fonctionnement maximale::
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
20 V
Emballage::
Tuyaux
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
1,65 V
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
L'IRGPS66160DPBF,de Infineon Technologies,est des transistors IGBT.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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