Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.
spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte::
Na 100
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Palladium - dissipation de puissance ::
300 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
TO-247AD-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Emballage::
Tuyaux
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 20 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
1.18 V
Fabricant::
IXYS
Introduction au projet
Le IXGH48N60A3D1, de IXYS, est des transistors IGBT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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