STGW60V60F
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT 600V 60A Porte de tranchée 1.8V Vce IGBT
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
80 A
Palladium - dissipation de puissance ::
375 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 20 V
Emballage::
Tuyaux
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
2,35 V
Fabricant::
STMicroélectronique
Introduction au projet
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| Image | partie # | Définition | |
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Le numéro d'identification du véhicule: |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
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