Pour les véhicules à moteur électrique à combustion
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Transistors IGBT 600V LO-VCEON NON PNCH à travers le COPCK
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
12 A
Palladium - dissipation de puissance ::
63 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
TO-263-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 20 V
Emballage::
Tuyaux
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
2,5 V
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
Le IRGS4B60KD1PBF,de Infineon Technologies,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces: