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fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Transistors IGBT 650V IGBT Trenchstop 5
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte::
Na 100
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
85 A
Palladium - dissipation de puissance ::
227 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
650 V
Emballage / boîtier::
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
20 V
Emballage::
Tuyaux
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
1,05 V
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
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