Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.
fabricant:
Toshiba
Définition:
Transistors IGBT 600V/30A DIS
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
TO-3P
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 20 V
Configuration::
Unique
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
30 A
Fabricant::
Toshiba
Introduction au projet
Le GT30J121(Q),de Toshiba,est des transistors IGBT.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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