RN2111MFV, L3F
fabricant:
Toshiba
Définition:
Transistors bipolaires - Résistant de biais prédéfini Transistors intégrés
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
PNP
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires - pré-biasés
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Palladium - dissipation de puissance ::
150 mW
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
- 50 V
Emballage / boîtier::
SOT-723-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min::
120
Emballage::
Le rouleau
Configuration::
Unique
Série::
RN2111
Une résistance d'entrée typique::
10 kOhms
Fabricant::
Toshiba
Courant de collecteur continu::
- 100 mA
Introduction au projet
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