RN1901 ((T5L,F,T)
fabricant:
Toshiba
Définition:
Transistors bipolaires - génération pré-biasée Trans BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
NPN
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires - pré-biasés
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Ratio de résistance typique::
1
Palladium - dissipation de puissance ::
200 mW
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
50 V
Emballage / boîtier::
États-Unis
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min::
30
Emballage::
Le rouleau
Courant de collecteur en courant continu de pointe::
100 MA
Configuration::
Dual
Série::
RN1901
Une résistance d'entrée typique::
4,7 kOhms
Fréquence de fonctionnement maximale::
250 MHz (type)
Fabricant::
Toshiba
Courant de collecteur continu::
100 MA
Introduction au projet
Le RN1901 ((T5L,F,T),de Toshiba,est Bipolar Transistors - Pre-Biased.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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