IRF7757TRPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Package du fournisseur::
8-TSSOP
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Le stock de l'usine::
0
Quantité minimale::
4000
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
Pour les appareils à commande numérique
Emballage / boîtier::
8-TSSOP (0.173" ; , largeur de 4.40mm)
Statut de la partie::
Dépassé
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
4.8A
Emballage::
Tape et bobine (TR)
@ qty::
0
Température de fonctionnement::
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET::
N-canal 2 (double)
Caractéristique FET::
Porte de niveau de logique
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
20 V
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage.
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
35 mOhm @ 4,8 A, 4,5 V
Puissance maximale::
1.2W
Vgs(th) (maximum) @ Id::
1.2V @ 250µA
Série::
HEXFET®
Fabricant::
Infineon Technologies
Introduction au projet
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