Le PMV32UP,215
fabricant:
Nexperia
Définition:
Le dépôt de l'échantillon doit être effectué à l'aide d'un dispositif de dépôt de l'échantillon.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
P-canal
Technologie::
SI
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Mode de montage::
Le système de détection de l'émission
Emballage / boîtier::
Le SOT-23-3
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange::
- 20 V
Emballage::
Le rouleau
Id - Courant de vidange continu::
- 4 A
Rds On - Résistance à la source de drainage::
36 mOhms
Qg - Charge de la porte::
15.5 nC
Fabricant::
Nexperia
Introduction au projet
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| Image | partie # | Définition | |
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2N7002,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 60V 300MA
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PMPB43XPE,115 |
MOSFET PMPB43XPE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
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