Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes en ce qui concerne les droits de douane:
fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Le système de détection de l'émission de gaz est utilisé pour la détection des gaz.
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Catégorie de produit::
Transistor MOSFET
Vgs (max) ::
± 20 V
Le dégagement continu (Id) @ 25°C::
Le nombre total de véhicules ne doit pas dépasser 10 tonnes.
@ qty::
0
Type de FET::
N-canal
Type de montage::
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs::
20nC @ 4,5 V
Fabricant::
Infineon Technologies
Quantité minimale::
1000
Voltage de l'entraînement (maximum RDS activé, minimum RDS activé)::
4.5V, 10V
Le stock de l'usine::
0
Température de fonctionnement::
-40°C à 150°C (TJ)
Caractéristique FET::
-
Série::
HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds::
Pour les appareils de type à commande numérique
Package du fournisseur::
DIRECTFET™ CARRÉ
Statut de la partie::
Dépassé
Emballage::
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
3.8 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)::
2.2W (merci), 42W (comité technique)
Emballage / boîtier::
CARRÉ isométrique de DirectFET™
Technologie::
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id::
2.35V @ 25μA
Voltage d'échappement à la source (Vdss)::
25 V
Introduction au projet
L'IRF6711STR1PBF,de Infineon Technologies,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Nombre de pièces: