MJE15034G
fabricant:
un demi
Définition:
Transistors bipolaires - BJT 4A 350V 50W NPN
Catégorie:
Semi-conducteurs
spécifications
Polarité du transistor::
NPN
Catégorie de produit::
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant maximal du collecteur CC::
4 A
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
350 V
Emballage / boîtier::
TO-220-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Gain Bandwidth Produit fT::
30 mégahertz
Configuration::
Unique
Le collecteur de tension de base VCBO::
350 V
Série::
MJE15034
Émetteur - tension de base VEBO::
5 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
0,5 V
Fabricant::
un demi
Introduction au projet
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